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论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目: Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
作者: Xia XX, Li XX, Wang HW
论文出处(相关负责人):
刊物名称: Journal of Semiconductors
年: 2020
卷: 68
期:
页码: 82-
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