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论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目:
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
作者:
Xia XX, Li XX, Wang HW
论文出处(相关负责人):
刊物名称:
Journal of Semiconductors
年:
2020
卷:
68
期:
页码:
82-
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