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| 第一作者所在部门: | ||||||||
| 论文题目: | High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient | |||||||
| 作者: | Aziz T#, Wei S J#, Sun Y#, Ma L P*, Pei S F, Dong S C, Ren W C, Liu Q*, Cheng H M, Sun D M* | |||||||
| 论文出处（相关负责人）: | ||||||||
| 刊物名称: | NANOSCALE | |||||||
| 年: | 2021 | |||||||
| 卷: | 13 | |||||||
| 期: | 4 | |||||||
| 页码: | 2448-2455 | |||||||
| 联系作者: | ||||||||
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