金属所首次制备出硅-石墨烯-锗高速晶体管
10月25日,金属所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员在《自然·通讯》(Nature Communications)上在线发表了题为“垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管”(A vertical silicon-graphene-germanium transistor)的研究论文。科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,可将其截止频率由兆赫兹(MHz)提升至吉赫兹(GHz)领域,并在未来有望实现工作于太赫兹(THz)领域的高速器件。
1947年,第一个双极结型晶体管(BJT)诞生于贝尔实验室,...
2019-10-28