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压卡材料性能评价仪器研制取得重要进展

随着《〈蒙特利尔议定书〉基加利修正案》对氢氟烃类制冷剂的限制以及我国“双碳”战略的深入推进，寻求环保高效的制冷技术已成为学术界和工业界关注的焦点。2019年，庞压卡效应的发现不仅实现了固态制冷材料性能的量级跨越，更在全球范围内掀起了新型制冷材料的研究热潮，为室温固态制冷技术的实用化奠定了重要的物理基础。然而，随着研究的不断深入，压卡材料表征手段的匮乏逐渐成为制约学科发展的瓶颈。长期以来，科研人员多采用高压差示扫描量热法间接估算绝热温变，不仅偏差较大，且难以真实还原材料在实际制冷循环中的物理行为。...

2026-08-13
第八届“师昌绪青年科技人才基金”评选会暨颁奖仪式成功举行

7月30日上午，第八届“师昌绪青年科技人才基金”评选会暨颁奖仪式在文化路园区学术报告厅成功举行。基金管委会委员李依依院士，成会明院士，所长刘岗，党委书记、副所长陈星秋和青年评委王培、刘增乾、李秀艳、唐云龙、谭季波以及所内职工和研究生100余人参加了本次活动。　　经基金管委会成员提名、研究部负责人联名推荐，本届“师昌绪青年科技人才基金”共产生8位候选人，分别为：高温合金研究部项目研究员张瑞、特种合金研究部项目研究员张洋鹏、先进钢铁材料研究部研究员曹艳飞、序构金属材料研究部研究员程钊、先进炭及二维材料研究...

2026-07-30
基于电化学沉积增材制造的新型热管和梯度吸液芯结构一体化制造研究取得重要进展

在新一代人工智能、大数据、云计算等产业高速发展的背景下，高性能芯片（如GPU、TPU）的算力需求呈指数级增长，导致功耗大幅攀升。同时，芯片封装尺寸不断缩小，使得热流密度急剧升高，狭小空间内的散热问题成为制约算力释放与系统可靠性的关键瓶颈。无氧铜热管利用相变传热原理，能够高效地将芯片热量传导至散热模组并借助气流带走，是目前电子散热领域兼具性能与成本优势的主流方案之一。然而，现有梯形、矩形等沟槽式微热管已接近传热性能上限，亟需开发新一代齿形设计，以突破毛细极限和热阻瓶颈。具备超高导热系数（可达纯铜1000...

2026-07-23
金属所多名研究生荣获2026年度中国科学院院长奖

近日，中国科学院发布了《关于公布2026年度中国科学院院长奖获奖名单的通知》，金属所7名博士研究生荣获2026年度“中国科学院院长奖”，获奖名单如下：　　【特别奖】　　李云龙（导师：齐伟、刘岗）　　【优秀奖】　　贾焱迪（导师：马英杰）　　杨帅（导师：段德莉、高禩洋）　　刘崟（导师：肖伯律、昝宇宁）　　陈家威（导师：刘洪阳）　　王耀祖（导师：李峰、白朔）　　蒋一鸣（导师：鲍泽斌、董志宏）　　中国科学院院长奖分为院长特别奖和院长优秀奖两种，每年评选一次，是对中国科学院在学研究生的最高奖励。2026年共有80人获“中国科学院院长特别奖”，400...

2026-07-23
潘庆松研究员在两院院士大会期间作陈嘉庚青年科学家报告

7月11日，在中国科学院第二十二次院士大会期间，中国科学院各专业学部举办了学术报告会，来自6个专业学部的2025年新当选院士和2026年度陈嘉庚青年科学奖获得者共83位科学家，围绕各领域科研进展和未来发展方向作精彩学术报告。　　中国科学院金属研究所潘庆松研究员作为2026年度陈嘉庚青年科学奖技术科学奖获得者，在会上作了题为“梯度序构位错金属的力学效应”的专题学术报告。针对金属材料强度与塑性/抗疲劳难以兼得这一材料领域重大难题，提出了跨尺度空间梯度序构位错金属设计新思路，成功破解了材料性能“此消彼长”的百年难题，实...

2026-07-13
金属所制备出高性能p型二维半导体MoSi₂N₄单晶晶圆

随着电子器件的持续微型化，硅等传统半导体材料面临短沟道效应等难以突破的物理瓶颈。与之相比，范德华层状二维半导体具有原子级超薄厚度、表面无悬键的独特优势，且载流子迁移率几乎不随材料厚度减小而衰减，在5 纳米以下先进制程中展现出巨大应用前景。与硅基电子器件类似，晶圆级 n 型、p 型二维半导体单晶是构筑二维CMOS集成电路的基础和前提。迄今为止，科研人员已开发出多种 n 型二维半导体材料，其中MoS2、WS2等已实现了晶圆级单晶制备；然而兼具高迁移率与优异稳定性的 p 型二维半导体仍然十分稀缺，实现此类材料的晶圆级单晶...

2026-07-09

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