窄带隙二维铁电半导体-纤锌矿型α-In2Se3的实验发现
二维铁电半导体对于推动信息存储、能量转换和神经形态计算领域的发展至关重要。其中，α-In2Se3凭借独特的面内-面外铁电极化耦合特性而备受关注：这种耦合效应可有效抑制材料在纳米尺度面临的退极化场问题，使其能在单层极限厚度下仍然保持稳定的铁电性。理论计算表明，α-In2Se3可能以能量简并的两种晶体结构存在—畸变闪锌矿 (ZB’) 和畸变纤锌矿 (WZ’) 结构。然而，实验迄今仅观测到闪锌矿相结构，纤锌矿型α-In2Se3相的存在及其铁电特性尚未被证实。
针对这一挑战，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员联...
2025-08-10
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