报告题目：小角中子散射的原理、方法学和科学应用

报告人：柯于斌，研究员，中国科学院高能物理研究所

时间：2025年5月21日 上午10：00

地点：李薰楼356会议室

报告摘要：

纳米结构表征是基础科学与纳米技术创新的关键环节，小角中子散射（SANS）作为一种先进的无损表征技术，通过分析散射强度（I）与动量转移（Q）的幂律关系，可定量解析材料1-100 nm范围内化学/磁结构的形貌、尺寸、分布及含量信息。该技术凭借中子高穿透性、磁矩敏感性和轻元素分辨能力，在先进材料、能源器件、凝聚态物理及生物医药等领域展现出独特的优势。

基于中国散裂中子源（CSNS）平台，报告人参与建成了国内首台脉冲源小角散射仪，并负责完成了谱仪的重大改造升级，将综合性能提升至国际一流水平。目前谱仪在材料相分离、超分子化学合成、分子自组装和凝聚态结构以及纳米磁学等领域已完成四百余项用户实验，并产出了一大批高质量的合作研究成果。此外， 基于谱仪发展了掠入射小角中子散射（GISANS）、多技术同步表征、中子核-磁散射分离等多项新型实验方法学，并将其应用于薄膜材料纳米结构、纳米相化学成分、析出序列和动态演化过程的表征，为科技基础前沿和国家重大需求的应用研究提供了关键支撑。

报告人简介：

柯于斌，中国科学院高能物理研究所研究员、博士生导师，中国散裂中子源（CSNS）小角中子散射仪负责人。主要从事中子散射技术开发与多学科应用研究，聚焦复杂外场下材料跨尺度显微结构动态演化的原位表征，致力于揭示材料“工艺-结构-性能”的多场耦合机制。主持承担国家重点研发计划专项课题、国家自然科学基金面上项目、中国科学院维修改造专项课题、粤莞联合基金等10余项重要科研项目。学术荣誉方面，先后入选中国科学院青年创新促进会会员（2020）、东莞市二类特色人才（2023），荣获Acta Materialia & Scripta Materialia杰出审稿人奖（2022）、东莞市青年科技创新奖（2023）等多项殊荣。迄今在Journal of Materials Science & Technology、Applied Physics Letters、Acta Materialia等国际权威期刊发表论文100余篇，其中以第一/通讯作者在材料科学领域期刊发表原创成果20余篇，授权国家发明专利10项。