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伪二元固溶体纳米材料的生长设计与表征
2016-05-20  |          【 】【打印】【关闭

  基于结构及晶格匹配原理,设计一系列具有独特性能和应用价值的多元半导体固溶体纳米结构。先后成功合成了一维GaP-ZnSGaN-ZnO四元固溶体纳米线,并利用高分辨透射电镜及能谱技术对其进行结构、物相及成分确定。研究发现:在纳米尺度范围内形成固溶体时,形成单相的条件十分苛刻,而且固溶度同相应块体材料相比明显变窄;当增加掺杂相比例时,会出现明显的相分离而形成核壳结构,这与理论计算结果(~5%)一致。此外,在GaP-ZnS体系中,观察少量的ZnS原子掺杂到GaP晶格中会诱发GaP纳米线由半导体向绝缘体的转变,相关机理还在进一步研究之中。

  Figure 1.(a) STEM image of a (GaP)1-x(ZnS)x nanowire with the Au catalyst particle attached to its tip; (b~f) P, S, Ga, Zn and Au elemental maps, respectively; (g,h) Elemental profiles of a (GaP)1-x(ZnS)x nanowire taken along the radial and axial directions. The scale bar is 100 nm.

功能薄膜与界面研究部

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