薄膜材料与界面课题组-中国科学院金属研究所
联系我们　｜　金属研究所　｜　中国科学院
您现在的位置：物性分析室 回到首页
双电测四探针测试仪
2023-04-19  |          【大 中 小】【打印】【关闭】

设备名称
 设备名称 双电测四探针测试仪
 型号  RTS-9
 生产厂商  广州硅研半导体技术有限公司
功能用途  用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶玻璃镀膜层等导电膜的方块电阻（或称薄层方块电阻和面电阻）。
主要技术指标
电阻率 10-5～105Ω.cm
方块电阻 10-4～106Ω
电导率 10-5～105s/cm
电阻 10-5～105Ω
可测样品厚度 ≤3 mm
电流量程 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调
相对误差 (用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试)≤±4%

样品要求：
晶片尺寸：2"～12"
金属基复合材料&特种焊接与加工研究团队-中国科学院金属研究所

薄膜材料与界面课题组

版权所有 中国科学院金属研究所　辽ICP备05005387号
地址: 沈阳市沈河区文化路72号　邮编: 110016　电话: 024-83970803