Ti、V、Cr、Zr等微量元素对纯铝及铝合金的导电性影响很大，即使只有几十ppm的含量，也会导致纯铝及铝合金导电性的大幅度降低。为了解决这一问题，通常在熔炼电工用纯铝及铝合金时向熔体中加入一定量的Al-B中间合金，使Ti、V、Cr、Zr形成硼化物而得以沉淀去除。从保证导电铝质量的角度出发，工业生产中希望使用硼含量高的二元Al-B中间合金，要求硼以硼铝化合物颗粒的形式弥散分布于铝基体中。目前的Al-B中间合金中硼含量较低（<7wt%）、且通常含有Ti，不能很好地满足电工用铝生产厂家的需求。

　　基于此，课题组与中国铝业集团合作，研发出了一种高硼含量(5-32 wt.%)铝硼中间合金的制备方法，解决目前Al-B中间合金中硼含量不够高、且通常含有Ti的问题，能够满足电工用铝Ti、V、Cr、Zr等微量元素去除的需求。与进口铝硼合金相比，其具有硼含量高、硼化物弥散度好。

　　目前本技术已申报多项国家发明专利，如一种高硼含量Al-B中间合金的制备方法 (ZL200910012932.7，已授权)、一种高硼含量Al-B中间合金熔体的获得方法，(ZL200910012841.3，已授权)、一种用化学反应法制备铝硼中间合金方法(ZL201210093195.X ，已授权) .

图 高硼含量铝硼中间合金